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介绍第三代半导体GaN射频器件在通信中的应用，从工艺制作开始，延申至基本工作原理，及射频参数和可靠性的测试。
📝 主旨内容
无线通信前端架构
发送从左往右，接受从右往左
半导体Si，GaAs，GaN
引用的话语
GaN射频工艺介绍
GaN的主要工艺路线
GaN器件的基本电特性
GaN的大信号特性：功率密度及效率
- 信号源发生信号，经过耦合器到达阻抗调谐器来模拟输入匹配。
- 信号经过DUT后到达输出端的阻抗调谐器，在经过耦合器。
- 耦合器耦合到功率计和输出到频谱分析仪。
矢量比标量多出了二次谐波和三次谐波的测试。
GaN的trapping效应：电流崩塌难题
定义：二维电子其在栅和应力下，会呈现出二维电子气被捕获导致电流降低的情况
DPD有一个功率缺失的曲线和PA有一个增益压缩的曲线， 两曲线互相叠加提高输出的线性度
谐波对GaN的影响：宽带器件谐波影响
高可靠性GaN：HTRB，HTOL等
